Número de Producto del Fabricante:
IPD60R170CFD7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD60R170CFD7ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 14A (Tc) 76W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12801082
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPD60R170CFD7ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
170mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 300µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1199 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
76W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD60R170CFD7ATMA1DKR
IPD60R170CFD7
IPD60R170CFD7ATMA1-DG
IPD60R170CFD7ATMA1TR
SP001617934
IPD60R170CFD7ATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BSS138NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
IPB020NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IPC302N08N3X2SA1
MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER