Número de Producto del Fabricante:
IPD5N25S3430ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD5N25S3430ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 5A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventario:
3038 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801031
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ENVIAR
IPD5N25S3430ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
430mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 13µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
422 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-313
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD5N25
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
INFINFIPD5N25S3430ATMA1
IPD5N25S3430ATMA1-DG
2156-IPD5N25S3430ATMA1
448-IPD5N25S3430ATMA1CT
SP000876584
448-IPD5N25S3430ATMA1TR
448-IPD5N25S3430ATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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