IPD50R950CEBTMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPD50R950CEBTMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPD50R950CEBTMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Inventario:

12803408
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IPD50R950CEBTMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
13V
rds activados (máx.) @ id, vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
231 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-11
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD50R

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD50R950CEIN
IPD50R950CEINDKR
IPD50R950CEINDKR-DG
IPD50R950CEBTMA1DKR
IPD50R950CEIN-DG
-IPD50R950CE
IPD50R950CEBTMA1TR
IPD50R950CEINTR-DG
IPD50R950CE
IPD50R950CEINCT-DG
IPD50R950CEINTR
SP000992070
IPD50R950CEBTMA1CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
RJK5033DPD-00#J2
FABRICANTE
Renesas Electronics Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
6000
NÚMERO DE PIEZA
RJK5033DPD-00#J2-DG
PRECIO UNITARIO
0.88
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TK7P50D(T6RSS-Q)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
1980
NÚMERO DE PIEZA
TK7P50D(T6RSS-Q)-DG
PRECIO UNITARIO
0.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TK6P53D(T6RSS-Q)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
1990
NÚMERO DE PIEZA
TK6P53D(T6RSS-Q)-DG
PRECIO UNITARIO
0.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STD6N52K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2751
NÚMERO DE PIEZA
STD6N52K3-DG
PRECIO UNITARIO
0.45
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STD8NM50N
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1231
NÚMERO DE PIEZA
STD8NM50N-DG
PRECIO UNITARIO
0.88
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IPC90R500C3X1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE

infineon-technologies

IRF7805TRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

infineon-technologies

IRFR7440PBF

MOSFET N CH 40V 90A DPAK

infineon-technologies

IPA80R280P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3F