Número de Producto del Fabricante:
IPD110N12N3GBUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD110N12N3GBUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12801173
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ENVIAR
IPD110N12N3GBUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 83µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4310 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD110N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD110N12N3 G
IPD110N12N3G
SP000674466
IPD110N12N3 GCT
IFEINFIPD110N12N3GBUMA1
IPD110N12N3 GTR-DG
IPD110N12N3 GCT-DG
IPD110N12N3GBUMA1CT
IPD110N12N3GBUMA1DKR
IPD110N12N3 GDKR
2156-IPD110N12N3GBUMA1
IPD110N12N3 G-DG
IPD110N12N3 GDKR-DG
2156-IPD110N12N3GBUMA1-ITTR-DG
IPD110N12N3 GTR
IPD110N12N3GBUMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD110N12N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
7091
NÚMERO DE PIEZA
IPD110N12N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.98
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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