Número de Producto del Fabricante:
IPD082N10N3GBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD082N10N3GBTMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12801226
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ENVIAR
IPD082N10N3GBTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.2mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 75µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3980 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD082N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD082N10N3GBTMA1TR
SP000485986
IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD100N10F7
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
5739
NÚMERO DE PIEZA
STD100N10F7-DG
PRECIO UNITARIO
1.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPD082N10N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
31476
NÚMERO DE PIEZA
IPD082N10N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.82
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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