Número de Producto del Fabricante:
IPD042P03L3GBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD042P03L3GBTMA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 70A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventario:
12803002
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ENVIAR
IPD042P03L3GBTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 270µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12400 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-11
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD042P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD042P03L3GBTMA1TR
IPD042P03L3 G
IPD042P03L3 GTR-DG
SP000473922
IPD042P03L3 GDKR-DG
IPD042P03L3 GCT
IPD042P03L3 GCT-DG
IPD042P03L3G
IPD042P03L3 GDKR
IPD042P03L3GBTMA1CT
IPD042P03L3GBTMA1DKR
IPD042P03L3GXT
IPD042P03L3 G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD042P03L3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
8592
NÚMERO DE PIEZA
IPD042P03L3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.80
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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