Número de Producto del Fabricante:
IPC50N04S55R8ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPC50N04S55R8ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Inventario:
4727 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800815
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ENVIAR
IPC50N04S55R8ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.4V @ 13µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1090 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-33
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IPC50N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
IPC50N04S55R8ATMA1CT
2156-IPC50N04S55R8ATMA1
IPC50N04S55R8ATMA1TR
IPC50N04S55R8ATMA1DKR
SP001418130
INFINFIPC50N04S55R8ATMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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