Número de Producto del Fabricante:
IPC302N15N3X1SA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPC302N15N3X1SA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Inventario:
12800157
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPC302N15N3X1SA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Bulk
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 270µA
Vgs (máx.)
-
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Sawn on foil
Paquete / Caja
Die
Número de producto base
IPC302N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
IPC302N15N3X1SA1-DG
448-IPC302N15N3X1SA1
SP000875892
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPI60R165CPAKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
IPD65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3