Número de Producto del Fabricante:
IPC26N12NX1SA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPC26N12NX1SA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Inventario:
12804936
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ENVIAR
IPC26N12NX1SA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Bulk
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 244µA
Vgs (máx.)
-
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Sawn on foil
Paquete / Caja
Die
Número de producto base
IPC26N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
448-IPC26N12NX1SA1
SP000296743
IPC26N12NX1SA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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