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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IPC100N04S52R8ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPC100N04S52R8ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Inventario:
4865 Pcs Nuevos Originales En Stock
12813056
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ENVIAR
IPC100N04S52R8ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.4V @ 30µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-34
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IPC100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IPC100N04S52R8ATMA1
Hoja de datos HTML
IPC100N04S52R8ATMA1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
IPC100N04S52R8ATMA1-DG
2156-IPC100N04S52R8ATMA1
INFINFIPC100N04S52R8ATMA1
IPC100N04S52R8ATMA1CT
IPC100N04S52R8ATMA1TR
IPC100N04S52R8ATMA1DKR
SP001418102
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDMS8333L
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2597
NÚMERO DE PIEZA
FDMS8333L-DG
PRECIO UNITARIO
0.48
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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