Número de Producto del Fabricante:
IPBE65R115CFD7AATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPBE65R115CFD7AATMA1-DG
Descripción:
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-11
Inventario:
1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12968775
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ENVIAR
IPBE65R115CFD7AATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
115mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 490µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1950 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-11
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
IPBE65R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IPBE65R115CFD7AATMA1CT
448-IPBE65R115CFD7AATMA1TR
448-IPBE65R115CFD7AATMA1DKR
SP002561838
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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