Número de Producto del Fabricante:
IPB80P03P4L04ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB80P03P4L04ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
12803740
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ENVIAR
IPB80P03P4L04ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 253µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
137W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB80P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP000396284
IPB80P03P4L-04-DG
IPB80P03P4L-04
IPB80P03P4L04ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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