Número de Producto del Fabricante:
IPB80N06S208ATMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB80N06S208ATMA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
12800411
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ENVIAR
IPB80N06S208ATMA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.7mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2860 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
215W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB80N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP001067884
INFINFIPB80N06S208ATMA2
2156-IPB80N06S208ATMA2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SQM110N05-06L_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1525
NÚMERO DE PIEZA
SQM110N05-06L_GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXTA120N075T2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTA120N075T2-DG
PRECIO UNITARIO
2.55
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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