IPB80N04S204ATMA2
Número de Producto del Fabricante:

IPB80N04S204ATMA2

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPB80N04S204ATMA2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventario:

6463 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800081
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IPB80N04S204ATMA2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB80N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP001063636
IPB80N04S204ATMA2-DG
448-IPB80N04S204ATMA2DKR
INFINFIPB80N04S204ATMA2
448-IPB80N04S204ATMA2TR
2156-IPB80N04S204ATMA2
448-IPB80N04S204ATMA2CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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