Número de Producto del Fabricante:
IPB65R190CFDAATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB65R190CFDAATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
256 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800301
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ENVIAR
IPB65R190CFDAATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 700µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1850 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
151W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB65R190
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB65R190CFDAATMA1-DG
SP000928264
448-IPB65R190CFDAATMA1TR
448-IPB65R190CFDAATMA1DKR
448-IPB65R190CFDAATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCB20N60FTM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2398
NÚMERO DE PIEZA
FCB20N60FTM-DG
PRECIO UNITARIO
2.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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