Número de Producto del Fabricante:
IPB65R190C7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB65R190C7ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
12855755
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPB65R190C7ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ C7
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 290µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1150 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
72W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB65R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB65R190C7ATMA1-DG
SP000929424
IPB65R190C7ATMA1DKR
IPB65R190C7ATMA1TR
IPB65R190C7ATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK20G60W,RVQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TK20G60W,RVQ-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
R6020ENJTL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
9101
NÚMERO DE PIEZA
R6020ENJTL-DG
PRECIO UNITARIO
1.15
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SIHB22N60ET5-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SIHB22N60ET5-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.79
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPB65R190C7ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
630
NÚMERO DE PIEZA
IPB65R190C7ATMA2-DG
PRECIO UNITARIO
1.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
IPB60R120P7ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2950
NÚMERO DE PIEZA
IPB60R120P7ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
Productos relacionados
RJK6011DJE-00#Z0
MOSFET N-CH 600V 100MA TO92MOD
UPA2813T1L-E1-AT
MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
NTMTS0D6N04CTXG
MOSFET N-CH 40V 533A
