Número de Producto del Fabricante:
IPB60R380P6ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB60R380P6ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
12800475
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPB60R380P6ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ P6
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 320µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
877 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP001364472
IPB60R380P6ATMA1DKR
IPB60R380P6ATMA1CT
IPB60R380P6ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB60R360P7ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
5559
NÚMERO DE PIEZA
IPB60R360P7ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPD50N08S413ATMA1
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
IPD50R399CP
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
IPD135N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
