Número de Producto del Fabricante:
IPB180N04S4L01ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB180N04S4L01ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventario:
12802912
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ENVIAR
IPB180N04S4L01ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 140µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
245 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
19100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-3
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
IPB180
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP000979928
2156-IPB180N04S4L01ATMA1TR
IPB180N04S4L01ATMA1-DG
448-IPB180N04S4L01ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SQM40014EM_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SQM40014EM_GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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