Número de Producto del Fabricante:
IPB042N10N3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB042N10N3GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
40835 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799592
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ENVIAR
IPB042N10N3GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8410 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB042
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB042N10N3GATMA1TR
IPB042N10N3 G-DG
IPB042N10N3GATMA1CT
IPB042N10N3G
IPB042N10N3 GCT-DG
IPB042N10N3 GTR-DG
IPB042N10N3 GDKR
IPB042N10N3GATMA1DKR
IPB042N10N3 GDKR-DG
IPB042N10N3 GCT
SP000446880
IPB042N10N3 G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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