Número de Producto del Fabricante:
IPB039N10N3GE8187ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB039N10N3GE8187ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventario:
12800462
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ENVIAR
IPB039N10N3GE8187ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
160A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 160µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8410 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
IPB039
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187DKR
IPB039N10N3GE8187ATMA1CT
IPB039N10N3GE8187
IPB039N10N3GE8187ATMA1TR
IPB039N10N3GE8187ATMA1DKR
IPB039N10N3 G E8187DKR-DG
IPB039N10N3 G E8187-DG
SP000939340
IPB039N10N3 G E8187TR-DG
IPB039N10N3 G E8187CT
IPB039N10N3 G E8187CT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB039N10N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
29647
NÚMERO DE PIEZA
IPB039N10N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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