Número de Producto del Fabricante:
IPAW60R360P7SE8228XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPAW60R360P7SE8228XKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventario:
12805021
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPAW60R360P7SE8228XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 140µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
555 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
22W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPAW60
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Otros nombres
IPAW60R360P7SE8228XKSA1-DG
448-IPAW60R360P7SE8228XKSA1
SP002367786
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPA60R360P7SXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3734
NÚMERO DE PIEZA
IPA60R360P7SXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF3205LPBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO262
IRF1405ZSPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IPN95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
