Número de Producto del Fabricante:
IPA65R310CFDXKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA65R310CFDXKSA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 11.4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventario:
496 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799748
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPA65R310CFDXKSA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
310mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 400µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA65R310
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
448-IPA65R310CFDXKSA2
IPA65R310CFDXKSA2-DG
SP001977028
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPB60R099C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3
BSZ520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
IPC90N04S5L3R3ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
