Número de Producto del Fabricante:
IPA029N06NXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA029N06NXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-FP
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 84A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventario:
494 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800187
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ENVIAR
IPA029N06NXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
84A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 84A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.3V @ 75µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5125 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA029
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
IPA029N06NXKSA1-DG
SP001199858
448-IPA029N06NXKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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