Número de Producto del Fabricante:
IMBG65R039M1HXTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IMBG65R039M1HXTMA1-DG
Descripción:
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 54A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventario:
12997223
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ENVIAR
IMBG65R039M1HXTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolSiC™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
54A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
51mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.7V @ 7.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1393 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
211W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-12
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
IMBG65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IMBG65R039M1HXTMA1CT
448-IMBG65R039M1HXTMA1TR
2156-IMBG65R039M1HXTMA1TR
SP005539169
448-IMBG65R039M1HXTMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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