Número de Producto del Fabricante:
IMBF170R650M1XTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IMBF170R650M1XTMA1-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 1700 V 7.4A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-13
Inventario:
1478 Pcs Nuevos Originales En Stock
12937643
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ENVIAR
IMBF170R650M1XTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolSiC™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
12V, 15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
650mOhm @ 1.5A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
5.7V @ 1.7mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8 nC @ 12 V
Vgs (máx.)
+20V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
422 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
88W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-13
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
IMBF170
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IMBF170R650M1XTMA1CT
448-IMBF170R650M1XTMA1TR
448-IMBF170R650M1XTMA1DKR
SP002739686
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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