Número de Producto del Fabricante:
IGT60R190D1SATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IGT60R190D1SATMA1-DG
Descripción:
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 12.5A (Tc) 55.5W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Inventario:
12800211
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ENVIAR
IGT60R190D1SATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolGaN™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
1.6V @ 960µA
Vgs (máx.)
-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
157 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
55.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8-3
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Número de producto base
IGT60R190
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Documentos de confiabilidad
Resumen del producto
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
IGT60R190D1SATMA1DKR
2156-IGT60R190D1SATMA1-448
SP001701702
IGT60R190D1SATMA1CT
IGT60R190D1SATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IGT60R190D1ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IGT60R190D1ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.42
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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