Número de Producto del Fabricante:

IGT40R070D1E8220ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IGT40R070D1E8220ATMA1-DG

Descripción:

GAN N-CH 400V 31A HSOF-8-3

Descripción Detallada:

N-Channel 400 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3

Inventario:

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13276537

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IGT40R070D1E8220ATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

-

Serie

CoolGaN™

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

400 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

31A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

-

rds activados (máx.) @ id, vgs

-

vgs(th) (máx.) @ id

1.6V @ 2.6mA

Vgs (máx.)

±10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

382 pF @ 320 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

PG-HSOF-8-3

Paquete / Caja

8-PowerSFN

Número de producto base

IGT40R070

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

IGT40R070D1 E8220

Información Adicional

Paquete Estándar

2,000

Otros nombres

448-IGT40R070D1E8220ATMA1TR

SP001946158

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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