IGT40R070D1ATMA1
Número de Producto del Fabricante:

IGT40R070D1ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IGT40R070D1ATMA1-DG

Descripción:

GAN HV
Descripción Detallada:
N-Channel 400 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3

Inventario:

12965870
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IGT40R070D1ATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolGaN™
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (máx.)
-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
382 pF @ 320 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8-3
Paquete / Caja
8-PowerSFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
448-IGT40R070D1ATMA1
SP001998280

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IGT60R070D1ATMA4
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3044
NÚMERO DE PIEZA
IGT60R070D1ATMA4-DG
PRECIO UNITARIO
7.24
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SI1400DL-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6

vishay-siliconix

SI4420BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO

vishay-siliconix

SIHG22N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC