Número de Producto del Fabricante:
IAUCN04S7N005ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUCN04S7N005ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET_(20V 40V)
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 175A (Tj) 179W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-43
Inventario:
2394 Pcs Nuevos Originales En Stock
13000566
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IAUCN04S7N005ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
175A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.55mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 95µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
127 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8320 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-43
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP005569114
448-IAUCN04S7N005ATMA1CT
448-IAUCN04S7N005ATMA1TR
448-IAUCN04S7N005ATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF8714TRPBFXTMA1
TRENCH <= 40V
IPDQ60R020CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
IAUCN04S6N018TATMA1
MOSFET_(20V 40V)
