Número de Producto del Fabricante:
IAUC100N10S5L054ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUC100N10S5L054ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 101A (Tj) 130W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Inventario:
12997280
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ENVIAR
IAUC100N10S5L054ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
101A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 64µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3744 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-34
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP005423079
448-IAUC100N10S5L054ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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