Número de Producto del Fabricante:
IAUA210N10S5N024AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUA210N10S5N024AUMA1-DG
Descripción:
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 210A (Tj) 238W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-4
Inventario:
3820 Pcs Nuevos Originales En Stock
12968724
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ENVIAR
IAUA210N10S5N024AUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
210A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
119 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8696 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
238W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-5-4
Paquete / Caja
5-PowerSFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
448-IAUA210N10S5N024AUMA1CT
448-IAUA210N10S5N024AUMA1TR
448-IAUA210N10S5N024AUMA1DKR
SP005412964
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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