Número de Producto del Fabricante:
FF6MR12KM1BOSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
FF6MR12KM1BOSA1-DG
Descripción:
SIC 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 250A (Tc) Chassis Mount AG-62MM
Inventario:
12954356
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ENVIAR
FF6MR12KM1BOSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolSiC™
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
250A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.81mOhm @ 250A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
5.15V @ 80mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
496nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14700pF @ 800V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
AG-62MM
Número de producto base
FF6MR12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Otros nombres
SP001686408
2156-FF6MR12KM1BOSA1
448-FF6MR12KM1BOSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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