Número de Producto del Fabricante:
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
FF23MR12W1M1B11BOMA1-DG
Descripción:
SIC 2N-CH 1200V 50A MODULE
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 50A Chassis Mount Module
Inventario:
242 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801059
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ENVIAR
FF23MR12W1M1B11BOMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tray
Serie
CoolSiC™+
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A
rds activados (máx.) @ id, vgs
23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
5.55V @ 20mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
125nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3950pF @ 800V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
Module
Número de producto base
FF23MR12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
24
Otros nombres
SP001602224
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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