Número de Producto del Fabricante:
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
DF23MR12W1M1B11BOMA1-DG
Descripción:
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 25A Chassis Mount AG-EASY1BM-2
Inventario:
12800026
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ENVIAR
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A
rds activados (máx.) @ id, vgs
45mOhm @ 25A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
620nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000pF @ 800V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
AG-EASY1BM-2
Número de producto base
DF23MR12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
24
Otros nombres
SP001602244
IFEINFDF23MR12W1M1B11BOMA1
2156-DF23MR12W1M1B11BOMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DF23MR12W1M1B11BPSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
12
NÚMERO DE PIEZA
DF23MR12W1M1B11BPSA1-DG
PRECIO UNITARIO
80.12
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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