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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
BUZ31HXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BUZ31HXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12802949
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ENVIAR
BUZ31HXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
200mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1120 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
95W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
BUZ31HXKSA1
Hoja de datos HTML
BUZ31HXKSA1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
SP000682992
BUZ31H
2156-BUZ31HXKSA1-IT
INFINFBUZ31HXKSA1
BUZ31 H-DG
BUZ31 H
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF200B211
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4746
NÚMERO DE PIEZA
IRF200B211-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STP19NF20
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STP19NF20-DG
PRECIO UNITARIO
0.63
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IRL640A
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
97975
NÚMERO DE PIEZA
IRL640A-DG
PRECIO UNITARIO
0.62
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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