Número de Producto del Fabricante:
BTS115ANKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BTS115ANKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 50 V 15.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12848205
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ENVIAR
BTS115ANKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
TEMPFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
50 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
120mOhm @ 7.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
735 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
2156-BTS115ANKSA1
BTS115AIN-DG
BTS115A
BTS115AIN
INFINFBTS115ANKSA1
SP000011193
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFZ24PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
357
NÚMERO DE PIEZA
IRFZ24PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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