Número de Producto del Fabricante:
BSZ16DN25NS3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSZ16DN25NS3GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventario:
1098 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799677
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ENVIAR
BSZ16DN25NS3GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
165mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 32µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
920 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSZ16DN25
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSZ16DN25NS3GATMA1DKR
BSZ16DN25NS3GDKR-DG
BSZ16DN25NS3GTR-DG
SP000781800
BSZ16DN25NS3GCT
BSZ16DN25NS3GATMA1CT
BSZ16DN25NS3G
BSZ16DN25NS3GCT-DG
BSZ16DN25NS3GATMA1TR
BSZ16DN25NS3 G
BSZ16DN25NS3GTR
BSZ16DN25NS3GDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSC16DN25NS3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
6986
NÚMERO DE PIEZA
BSC16DN25NS3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.83
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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