Número de Producto del Fabricante:
BSZ130N03LSGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSZ130N03LSGATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 10A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventario:
28939 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799085
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ENVIAR
BSZ130N03LSGATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
970 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSZ130
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSZ130N03LSGATMA1DKR
BSZ130N03LSGINCT
BSZ130N03LSGINCT-DG
BSZ130N03LSGINTR-DG
BSZ130N03LSGINDKR-DG
BSZ130N03LS G
BSZ130N03LSGATMA1CT
BSZ130N03LSGXT
BSZ130N03LSGINDKR
BSZ130N03LSG
SP000278810
BSZ130N03LSGATMA1TR
BSZ130N03LSGINTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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