Número de Producto del Fabricante:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSZ12DN20NS3GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventario:
3866 Pcs Nuevos Originales En Stock
12829322
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ENVIAR
BSZ12DN20NS3GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
680 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSZ12DN20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
2156-BSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GATMA1DKR
BSZ12DN20NS3GATMA1TR
BSZ12DN20NS3GCT
IFEINFBSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GDKR
SP000781784
BSZ12DN20NS3GATMA1CT
BSZ12DN20NS3G
BSZ12DN20NS3GTR
BSZ12DN20NS3 G
BSZ12DN20NS3GTR-DG
BSZ12DN20NS3GCT-DG
BSZ12DN20NS3GDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSC12DN20NS3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
11979
NÚMERO DE PIEZA
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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