BSZ096N10LS5ATMA1
Número de Producto del Fabricante:

BSZ096N10LS5ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSZ096N10LS5ATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

Inventario:

10669 Pcs Nuevos Originales En Stock
12837113
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

BSZ096N10LS5ATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 36µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2100 pF @ 50 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSDSON-8-FL
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSZ096

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-BSZ096N10LS5ATMA1CT
BSZ096N10LS5ATMA1-DG
448-BSZ096N10LS5ATMA1DKR
SP001352994
448-BSZ096N10LS5ATMA1TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

HUFA75345S3ST

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

FDS6570A

MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC

onsemi

FDB075N15A

MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK

onsemi

FQD5P20TM

MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK