BSS315PH6327XTSA1
Número de Producto del Fabricante:

BSS315PH6327XTSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSS315PH6327XTSA1-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Inventario:

11540 Pcs Nuevos Originales En Stock
12829585
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ENVIAR

BSS315PH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 11µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.3 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
282 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
BSS315

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
BSS315PH6327XTSA1
Hoja de datos HTML
BSS315PH6327XTSA1-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSS315PH6327XTSA1TR
BSS315PH6327XTSA1DKR
BSS315P H6327DKR
BSS315P H6327TR-DG
BSS315PH6327
2156-BSS315PH6327XTSA1
BSS315P H6327CT-DG
ROCINFBSS315PH6327XTSA1
BSS315P H6327
BSS315P H6327-DG
BSS315P H6327DKR-DG
BSS315P H6327CT
BSS315PH6327XTSA1CT
SP000928946

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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