BSS205NH6327XTSA1
Número de Producto del Fabricante:

BSS205NH6327XTSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSS205NH6327XTSA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 2.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Inventario:

35030 Pcs Nuevos Originales En Stock
12826224
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ENVIAR

BSS205NH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
50mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 11µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
419 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
BSS205

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
BSS205NH6327XTSA1
Hoja de datos HTML
BSS205NH6327XTSA1-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSS205N H6327
BSS205NH6327XTSA1CT
BSS205NH6327XTSA1DKR
SP000929180
BSS205N H6327TR-DG
BSS205N H6327CT-DG
2156-BSS205NH6327XTSA1TR
BSS205N H6327DKR
BSS205N H6327DKR-DG
BSS205NH6327XTSA1TR
BSS205N H6327-DG
BSS205N H6327CT
BSS205NH6327

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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