Número de Producto del Fabricante:
BSS169IXTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSS169IXTSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT-23-3
Inventario:
5868 Pcs Nuevos Originales En Stock
12958961
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ENVIAR
BSS169IXTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
0V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.9Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.8V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.1 nC @ 7 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
51 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT-23-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
448-BSS169IXTSA1TR
448-BSS169IXTSA1CT
2156-BSS169IXTSA1
448-BSS169IXTSA1DKR
SP005558635
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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