Número de Producto del Fabricante:
BSP88L6327HTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSP88L6327HTSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Descripción Detallada:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventario:
12798357
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ENVIAR
BSP88L6327HTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
240 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
350mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.4V @ 108µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
95 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223-4-21
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
BSP88
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
BSP88XTINCT
BSP88L6327INTR-DG
BSP88L6327INCT
BSP88XTINTR
BSP88L6327XT
BSP88L6327INTR-NDR
SP000089217
BSP88L6327HTSA1TR
BSP88XTINTR-DG
INFINFBSP88L6327HTSA1
BSP88L6327INDKR
BSP88XTINCT-DG
BSP88L6327INCT-DG
BSP88E6327T
BSP88L6327INTR
BSP88L6327INCT-NDR
BSP88L6327INDKR-DG
2156-BSP88L6327HTSA1-ITTR
BSP88L6327INDKR-NDR
BSP88 L6327
BSP88 L6327-DG
BSP88L6327HTSA1DKR
BSP88L6327T
BSP88L6327HTSA1CT
BSP88L6327
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
ZVN4525GTA
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
10504
NÚMERO DE PIEZA
ZVN4525GTA-DG
PRECIO UNITARIO
0.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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