Número de Producto del Fabricante:
BSO110N03MSGXUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSO110N03MSGXUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Inventario:
7364 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801287
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ENVIAR
BSO110N03MSGXUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 12.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.56W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-DSO-8
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
BSO110
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
BSO110N03MS GINCT-DG
BSO110N03MS G-DG
BSO110N03MSGXUMA1TR
SP000446062
BSO110N03MS GINTR-DG
BSO110N03MS GINDKR-DG
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINDKR
BSO110N03MSG
BSO110N03MS G
BSO110N03MSGXUMA1DKR
BSO110N03MSGXUMA1CT
BSO110N03MS GINCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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