Número de Producto del Fabricante:
BSD840NH6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSD840NH6327XTSA1-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 880mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventario:
54248 Pcs Nuevos Originales En Stock
13063912
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ENVIAR
BSD840NH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
880mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 880mA, 2.5V
vgs(th) (máx.) @ id
750mV @ 1.6µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.26nC @ 2.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
78pF @ 10V
Potencia - Máx.
500mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT363-PO
Número de producto base
BSD840
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSD840N H6327CT
BSD840NH6327
BSD840N H6327TR-ND
BSD840N H6327CT-ND
BSD840NH6327XTSA1DKR
BSD840NH6327XTSA1CT
BSD840N H6327DKR
SP000917654
BSD840N H6327-ND
BSD840NH6327XT
BSD840N H6327DKR-ND
BSD840N H6327
BSD840NH6327XTSA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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