Número de Producto del Fabricante:
BSD314SPEL6327HTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSD314SPEL6327HTSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventario:
12847330
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSD314SPEL6327HTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
140mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 6.3µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
294 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT363-PO
Paquete / Caja
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSD314SPE L6327CT-DG
BSD314SPEL6327
BSD314SPE L6327DKR
BSD314SPEL6327HTSA1DKR
BSD314SPE L6327DKR-DG
SP000473008
BSD314SPE L6327
BSD314SPE L6327CT
BSD314SPE L6327-DG
BSD314SPE L6327TR-DG
BSD314SPEL6327HTSA1CT
BSD314SPEL6327HTSA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
AOD4128
MOSFET N-CH 25V 60A TO252
FQD10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
FQPF9N25C
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
