Número de Producto del Fabricante:
BSC200P03LSGAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC200P03LSGAUMA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSON
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventario:
12839748
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ENVIAR
BSC200P03LSGAUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2430 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC200P03LSG
SP000359668
BSC200P03LS G
BSC200P03LS GINCT-DG
BSC200P03LSGAUMA1CT
BSC200P03LS GINTR-DG
BSC200P03LS GINCT
BSC200P03LS G-DG
BSC200P03LS GINDKR-DG
BSC200P03LS GINDKR
BSC200P03LSGAUMA1TR
BSC200P03LS GINTR
BSC200P03LSGAUMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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