Número de Producto del Fabricante:
BSC190N12NS3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC190N12NS3GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventario:
29800 Pcs Nuevos Originales En Stock
12798707
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ENVIAR
BSC190N12NS3GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.6A (Ta), 44A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
19mOhm @ 39A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 42µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2300 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC190
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC190N12NS3 GCT-DG
BSC190N12NS3 GCT
BSC190N12NS3 GDKR-DG
BSC190N12NS3 GTR-DG
BSC190N12NS3GATMA1TR
SP000652752
BSC190N12NS3 G
BSC190N12NS3 GTR
BSC190N12NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC190N12NS3GATMA1DKR
BSC190N12NS3G
BSC190N12NS3GATMA1CT
BSC190N12NS3 GDKR
BSC190N12NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC190N12NS3 G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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