Número de Producto del Fabricante:
BSC042NE7NS3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC042NE7NS3GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventario:
34469 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799060
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ENVIAR
BSC042NE7NS3GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 91µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4800 pF @ 37.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC042
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC042NE7NS3 GTR-DG
BSC042NE7NS3G
2156-BSC042NE7NS3GATMA1
BSC042NE7NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC042NE7NS3GATMA1TR
BSC042NE7NS3 GCT-DG
BSC042NE7NS3 G-DG
SP000657440
BSC042NE7NS3 GDKR-DG
BSC042NE7NS3GATMA1DKR
BSC042NE7NS3 G
BSC042NE7NS3 GCT
BSC042NE7NS3 GDKR
BSC042NE7NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC042NE7NS3 GTR
BSC042NE7NS3GATMA1CT
INFINFBSC042NE7NS3GATMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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